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真空鍍膜技術(shù)主要通過分類有：蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

蒸發(fā)鍍膜

在真空狀態(tài)下，加熱蒸發(fā)容器中的目標(biāo)材料，使得其原子或分子逸出并沉積在目標(biāo)物體的表面上以形成固體膜。 根據(jù)蒸發(fā)材料的不同，基片可分為三種類型：耐熱、電子束、高頻感應(yīng)、激光等加熱方法。 氣相沉積材料包括金屬材料如鋁、鉛、金、銀、鉑和鎳，以及能夠產(chǎn)生光學(xué)特性膜的材料，并且主要包括氧化物和氟化物如SiO2、TiO2、ZrO2和MgF2。 除了金屬之外，樹脂和玻璃也可用于氣相沉積，近年來，甚至紙也已用于氣相沉積。

蒸發(fā)鍍膜的優(yōu)缺點(diǎn)

優(yōu)點(diǎn): 設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，成膜速度快，效率高。

缺點(diǎn)：薄膜的厚度進(jìn)行均勻性不易管理控制，蒸發(fā)壓力容器有污染的隱患，工藝方法重復(fù)性工作不好，附著力不高。

濺射鍍膜

電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子結(jié)構(gòu)發(fā)生進(jìn)行碰撞，電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場(chǎng)促進(jìn)作用下加速轟擊靶材，濺射出企業(yè)大量的靶原子，靶原子沉積在基片材料表面可以形成膜。二次利用電子信息受到不同磁場(chǎng)產(chǎn)生影響，被束縛在靶面的研究等離子體區(qū)域，二次使用電子在磁場(chǎng)相互作用下繞靶面做圓周方向運(yùn)動(dòng)，在運(yùn)動(dòng)過程中需要不斷和氬原子之間發(fā)生撞擊，電離出大量氬離子轟擊靶材。

磁控濺射的靶材

靶材材料主要包括金屬靶材、金屬氧化物靶材等。 根據(jù)靶座的形狀和尺寸進(jìn)行處理。

磁控濺射優(yōu)缺點(diǎn)

優(yōu)點(diǎn): 工藝重復(fù)性好，膜純度高，膜厚均勻，附著力好。

缺點(diǎn)：設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，一旦濺射靶材穿透，整個(gè)靶材會(huì)報(bào)廢，靶材利用率低。

離子鍍

蒸發(fā)以及物質(zhì)的分子被電子通過撞擊后沉積在城市固體材料表面可以稱為離子鍍。蒸發(fā)源接陽極，工件接陰極，當(dāng)通以三至五千伏高壓直流電工作以后，蒸發(fā)源與工件系統(tǒng)之間發(fā)展產(chǎn)生輝光放電。由于我國(guó)真空罩內(nèi)充有惰性氬氣，在放電過程中電場(chǎng)影響作用下部分采用氬氣被電離，從而在進(jìn)行陰極保護(hù)工件我們周圍環(huán)境形成自己一等離子暗區(qū)。帶正電荷的氬離子受陰極負(fù)高壓的吸引，猛烈地轟擊工件加工表面，致使一個(gè)工件表層粒子和臟物被轟濺拋出，從而使整個(gè)工件待鍍表面得到了學(xué)生充分的離子轟擊清洗。隨后，接通蒸發(fā)源文化交流提供電源，蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā)，進(jìn)入輝光放電區(qū)并被電離。帶正電荷的蒸發(fā)料離子，在陰極吸引下，隨同氬離子能夠一同沖向工件，當(dāng)拋鍍于工件表面上的蒸發(fā)料離子濃度超過濺失離子的數(shù)量時(shí)，則逐漸出現(xiàn)堆積問題形成具有一層更加牢固粘附于工件接觸表面的鍍層。

離子鍍的優(yōu)缺點(diǎn)

優(yōu)點(diǎn)：膜層附著力好，膜層致密，卷繞性能好，可在形狀復(fù)雜的零件表面涂布。

缺點(diǎn): 離子鍍的應(yīng)用范圍不廣，薄膜與襯底之間存在較寬的過渡界面。會(huì)有氣體分子被吸附。